APTM100H35FTG
Modello di prodotti:
APTM100H35FTG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17299 Pieces
Scheda dati:
1.APTM100H35FTG.pdf2.APTM100H35FTG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:420 mOhm @ 11A, 10V
Potenza - Max:390W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTM100H35FTG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:186nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A
Email:[email protected]

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