APTM50AM19STG
Modello di prodotti:
APTM50AM19STG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19269 Pieces
Scheda dati:
APTM50AM19STG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 10mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:19 mOhm @ 85A, 10V
Potenza - Max:1250W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APTM50AM19STG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:22400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:492nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Silicon Carbide (SiC)
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 170A 1250W Chassis Mount SP4
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:170A
Email:[email protected]

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