BSP300H6327XUSA1
BSP300H6327XUSA1
Modello di prodotti:
BSP300H6327XUSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14253 Pieces
Scheda dati:
BSP300H6327XUSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-SOT223-4
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:20 Ohm @ 190mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:BSP300H6327XUSA1DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:BSP300H6327XUSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:230pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:190mA (Ta)
Email:[email protected]

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