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EPC8009ENGR
EPC8009ENGR
Modello di prodotti:
EPC8009ENGR
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16117 Pieces
Scheda dati:
1.EPC8009ENGR.pdf2.EPC8009ENGR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:138 mOhm @ 500mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC8009ENGR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:47pF @ 32.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.38nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss):65V
Descrizione:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.1A (Ta)
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC8009ENGR

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC8007ENGR Image EPC8007ENGR EPC TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8004 Image EPC8004 EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8009 Image EPC8009 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8010 Image EPC8010 EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8005ENGR Image EPC8005ENGR EPC TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8002ENGR Image EPC8002ENGR EPC TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8008ENGR Image EPC8008ENGR EPC TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8004ENGR Image EPC8004ENGR EPC TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8003ENGR Image EPC8003ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8010ENGR Image EPC8010ENGR EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE Inchiesta

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