EPC8008ENGR
EPC8008ENGR
Modello di prodotti:
EPC8008ENGR
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14274 Pieces
Scheda dati:
1.EPC8008ENGR.pdf2.EPC8008ENGR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:325 mOhm @ 500mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-EPC8008ENGR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC8008ENGR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.18nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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