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H7N1002LS-E
- Modello di prodotti:
- H7N1002LS-E
- fabbricante:
- Renesas Electronics America
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V LDPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16301 Pieces
- Scheda dati:
- H7N1002LS-E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-LDPAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10 mOhm @ 37.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 100W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-83 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | H7N1002LS-E |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9700pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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