IRFB31N20DPBF
IRFB31N20DPBF
Modello di prodotti:
IRFB31N20DPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20078 Pieces
Scheda dati:
IRFB31N20DPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:82 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 200W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:*IRFB31N20DPBF
SP001560192
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFB31N20DPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2370pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:107nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Tc)
Email:[email protected]

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