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IRFB3307
- Modello di prodotti:
- IRFB3307
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18795 Pieces
- Scheda dati:
- IRFB3307.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFB3307, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFB3307 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | *IRFB3307 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFB3307 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5150pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 75V 130A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 75V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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