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SSM6N61NU,LF
- Modello di prodotti:
- SSM6N61NU,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19595 Pieces
- Scheda dati:
- SSM6N61NU,LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 33 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | SSM6N61NU,LF(B SSM6N61NU,LF(T SSM6N61NULFTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SSM6N61NU,LF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 410pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 2W Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
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