TPH3212PS
TPH3212PS
Modello di prodotti:
TPH3212PS
fabbricante:
Transphorm
Descrizione:
GAN FET 650V 27A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17488 Pieces
Scheda dati:
TPH3212PS.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 400uA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:72 mOhm @ 17A, 8V
Dissipazione di potenza (max):104W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:TPH3212PS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1130pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):-
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:GAN FET 650V 27A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

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