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ZXMN10A25GTA
- Modello di prodotti:
- ZXMN10A25GTA
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13110 Pieces
- Scheda dati:
- ZXMN10A25GTA.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per ZXMN10A25GTA, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per ZXMN10A25GTA via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 125 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | ZXMN10A25G ZXMN10A25GTATR ZXMN10A25GTR ZXMN10A25GTR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | ZXMN10A25GTA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 859pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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