ZXMN10A11K
ZXMN10A11K
Modello di prodotti:
ZXMN10A11K
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18674 Pieces
Scheda dati:
ZXMN10A11K.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:350 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.11W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:1034-ZXMN10A11KDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:ZXMN10A11K
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:274pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 2.4A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.4A (Ta)
Email:[email protected]

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