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EPC2012
- Modello di prodotti:
- EPC2012
- fabbricante:
- EPC
- Descrizione:
- TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15514 Pieces
- Scheda dati:
- EPC2012.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per EPC2012, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per EPC2012 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Altri nomi: | 917-1017-1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EPC2012 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 145pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.8nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EPC2012
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