Acquistare EPC2016 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 3mA |
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Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
Serie: | eGaN® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 16 mOhm @ 11A, 5V |
Dissipazione di potenza (max): | - |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | Die |
Altri nomi: | 917-1027-2 |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | EPC2016 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.2nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 100V 11A (Ta) Surface Mount Die |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione: | TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
Email: | [email protected] |