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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2014C
EPC2014C
EPC2014C
Modello di prodotti:
EPC2014C
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16343 Pieces
Scheda dati:
EPC2014C.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 2mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die Outline (5-Solder Bar)
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:16 mOhm @ 10A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1082-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:EPC2014C
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 10A (Ta) Surface Mount Die Outline (5-Solder Bar)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC2014C

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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