SSM6N57NU,LF
SSM6N57NU,LF
Modello di prodotti:
SSM6N57NU,LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19837 Pieces
Scheda dati:
SSM6N57NU,LF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:6-µDFN(2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:46 mOhm @ 2A, 4.5V
Potenza - Max:1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WDFN Exposed Pad
Altri nomi:SSM6N57NU,LF(B
SSM6N57NU,LF(T
SSM6N57NULF
SSM6N57NULF(TTR
SSM6N57NULF(TTR-ND
SSM6N57NULFTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:SSM6N57NU,LF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:310pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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